作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083红外探测全国重点实验室,上海200083
2 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083红外探测全国重点实验室,上海200083无锡中科德芯感知科技有限公司,江苏 无锡214135
人类的探索欲望及数千年来的不断积累促成了20世纪60年代的四大天文发现,而大气层对天文观测的一些根本性限制促使人们在20世纪冲出地球进入太空。在宽广的波段进行天文观测有着极为苛刻的要求,新猜想和模型的提出也要求进行新的验证,这些都促进了观测设备及器件的性能趋于极致。本文旨在对此进行简要的回顾分析并列举一些典型实例,侧重考察其探测波段、主镜或天线的口径、探测仪器及所用器件的类型和性能等,以便进行纵向和横向的比较,温故而思新。
天文观测 红外 太赫兹 毫米波 射频与微波 astronomical observation infrared terahertz millimeter wave radio frequency and microwave 
红外
2023, 44(12): 0001
张永刚 1,2,*顾溢 1,2马英杰 1,2邵秀梅 1,2[ ... ]方家熊 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
三五族化合物半导体具有丰富的特性,使其在电子学、光电子学以及光子学领域获得了各种应用,这些都源自于三族元素和五族元素构成之二元系的各种魔幻组合形成的多变特性。本文基于二元系砷化物、磷化物及锑化物,对其构成的各种三元系、四元系和五元系的特征进行了几何图示阐述,主要涉及其带隙、晶格常数及其与不同衬底的晶格匹配区域。对氮化物和稀氮、铋化物和稀铋以及硼化物的一些特性也进行了简要讨论。通过对整个三五族化合物半导体的全面了解将有助于深入了解其潜力和可持续发展态势,包括存在的诸多挑战。
三五族化合物半导体 二元系 三元系 四元系 五元系 III-V compound semiconductors binary ternary quaternary quinary 
红外与毫米波学报
2022, 41(6): 941
汪鸿祎 1,2,3张思韬 1,2,4王绪泉 1,2,3张永刚 1,2[ ... ]方家熊 1,2,**
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100049
4 上海科技大学,上海 201210
目前红外探测器采用传统读出方法很难通过一次积分实现其本身的动态范围。为实现红外探测器的大动态范围不换档读出,引入脉冲频率调制(Pulse Frequency Modulation,PFM)结构,同时为保证弱信号时的注入效率,结合CTIA输入级,对红外探测器不换档大动态范围读出方法进行研究。提出一种CTIA输入级脉冲频率调制(PFM)读出方法,在系统级层面搭建实验系统并结合短波红外InGaAs单元探测器进行数字量化实验。详细分析了强信号时由系统结构延迟时间引起的转换线性度问题,并建立非理想条件下的数字量化转换模型。实验结果显示,提出的CTIA输入级PFM红外探测器读出方法动态范围达到97 dB,为红外探测器不换档大动态范围读出提供了一种可行方案,并为数字化读出电路设计奠定理论基础。
脉冲频率调制 CTIA输入级 大动态范围 铟镓砷 数字化读出 pulse frequency modulation CTIA input stage high dynamic range InGaAs digital readout circuit 
红外与毫米波学报
2022, 41(5): 923
作者单位
摘要
1 State Key Laboratories of Transducer Technology,shanghai Insitute of Technical Physices,Chinese Academy of Science,shanghai 200083,China
2 Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China
3 ShanghaiTech University,Shanghai 201210,china
4 University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China
5 Technology Center of Hefei Customs District,Hefei 245000,China
基于近红外光谱(NIRS)技术和遗传算法-反向传播(GA-BP)神经网络建立模型, 分析茶叶掺蔗糖样品的1~2.5 μm原始光谱数据的有效性及冗余度。 固定样本数据, 对模型的参数优化选择后建立茶叶蔗糖含量定量检测模型。 将1~2.5 μm原始数据分1~1.7, 1~1.3, 1.3~1.7, 1.7~2.5和2~2.2 μm。 利用建立的模型对同一分辨率下的不同波段进行模型训练。 预测结果表明, 1~1.7和1~2.5 μm波段存在数据冗余。 仅使用1.3~1.7或1.7~2.5 μm波段即可有效建立模型。 预测模型对同一波段下的不同分辨率进行研究, 从2 nm到20 nm改变分辨率, 当波段范围为1~2.5 μm时, 模型的R均介于0.9和0.95之间, 且RMSEP也在1.7和2.1之间。 当波段范围为1~1.7 μm时, 模型的R均在0.9和0.93之间, 且RMSEP也在1.95和2.25之间。 结果表明, 1~2.5 μm原始数据中确实存在波长范围和光谱分辨率的冗余。 通过光谱特征分析和算法建模, 可以显著提高光谱数据获取的有效性; 对于茶叶中蔗糖含量的检测, 可以采用更窄的波长范围和更低的光谱分辨率。
遗传算法 BP神经网络 近红外光谱分析 有效性 茶叶 Genetic algorithm BP neural network Near-infrared spectroscopy Validity Tea 
光谱学与光谱分析
2022, 42(11): 3647
黄卫国 1,4顾溢 1,2,3,4,*金宇航 2,3刘博文 2,3[ ... ]张永刚 1,2,3
作者单位
摘要
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹技术重点实验室,上海 200050
2 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室,上海 200083
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
4 中国科学院大学,北京 100049
5 查尔姆斯理工大学 微技术与纳米科学系,哥德堡 SE-41296
本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长。研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs 量子阱结构具有相对更优的效果。
量子阱 GaP/Si 异变缓冲层 中红外 quantum wells GaP/Si metamorphic buffer mid-infrared 
红外与毫米波学报
2022, 41(1): 019
柯鹏瑜 1,2,3刘梦璇 1,2,3,4王绪泉 1,2,3黄松垒 1,2,*[ ... ]方家熊 1,2,**
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100049
4 上海科技大学,上海 201210
基于512×2元InGaAs光谱组件研制一款新型光谱传感物联网节点。针对中心距为25 μm的双列小像元探测器结构,在信号处理电路中对双通道数据进行均值处理,减小了单个光敏元响应异常对系统测试结果带来的影响。实验结果表明,此节点的测试波长范围为976~1700 nm,光谱分辨率达到13.5 nm,波长准确性优于3.2 nm,波长重复性优于0.3 nm,动态范围达到2300:1,吸光度重复性0.0011 AU,光源基线稳定性优于0.0001 A/h。采用多种标称酒精浓度的酒类样本对此光谱传感节点进行测试,验证其功能。
短波红外 光谱节点 分光滤光片 InGaAs探测器 short-wave infrared spectral-node LVF InGaAs detector 
红外与毫米波学报
2021, 40(5): 582
师艳辉 1,2,*杨楠楠 1,2马英杰 1,3,4顾溢 1,3,4[ ... ]张永刚 1,3,4
作者单位
摘要
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
研究了In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As数字递变异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2.6 μm延伸波长In0.83Ga0.17As光电二极管性能的影响.实验表明, 在保持总缓冲层厚度不变的情况下, 通过将在InP衬底上生长的In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As DGMB结构的总周期数从19增加到38, 其上所生长的In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38的DGMB上外延的In0.83Ga0.17As光电二极管, 观察到其应变弛豫度增加到99.8%, 表面粗糙度降低, 光致发光强度和光响应度均增强, 同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明, 随着总周期数目的增加, DGMB可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.
数字递变 异变 缓冲 光电探测器 digital-grading metamorphic buffer InGaAs InGaAs photodetectors 
红外与毫米波学报
2019, 38(3): 275
张见 1,2陈星佑 1顾溢 1,*龚谦 1[ ... ]张永刚 1
作者单位
摘要
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 上海科技大学 物质科学与技术学院, 上海 201210
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明, InAlAs异变缓冲层的生长温度越低, X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽, 外延层和衬底之间的倾角就越大, 同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加, 弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层, 采用较高的生长温度时, X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小, 77 K 下有更强的光致发光, 但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后, 材料中的缺陷得到抑制.
分子束外延 InAlAs异变缓冲层 生长温度 molecular beam epitaxy InGaAs InGaAs InAlAs metamorphic buffer growth temperature 
红外与毫米波学报
2018, 37(6): 699
作者单位
摘要
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海200050
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5 μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3 μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7 μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5 μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9 μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6 μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
半导体激光器 光电探测器 磷化铟基 无锑 气态源分子束外延 semiconductor lasers photodetectors InP-based antimony-free gas source MBE 
红外与毫米波学报
2016, 35(3): 275
作者单位
摘要
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.
发射光谱 校正 发光强度 光荧光 傅里叶变换 emission spectroscopy correction luminescence intensity photoluminescence Fourier transformed 
红外与毫米波学报
2016, 35(1): 63

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!